专利详情

专利名称	一种绝缘体上二维薄膜材料的制备方法
申请号	CN201210252143.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103570001A	公开（授权）日	2014.02.12
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	解婧;张阳;罗巍;李超波;夏洋
主分类号	C01B31/04(2006.01)I	IPC主分类号	C01B31/04(2006.01)I
专利有效期	一种绝缘体上二维薄膜材料的制备方法至一种绝缘体上二维薄膜材料的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及材料技术领域，具体涉及一种绝缘体上二维薄膜材料的制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：（1）根据需求选择合适的绝缘衬底；（2）对绝缘衬底的表面和/或待转移至绝缘衬底的体材料的表面进行活化处理；（3）将绝缘衬底与体材料进行表面接触，施加外物理场使二维薄膜材料从体材料表面剥离下来，覆盖到绝缘衬底的表面。使用本发明制备的二维薄膜材料铺展均匀，并可避免多次转移以及中间层材料造成的缺陷以及环境污染等问题。同时，本发明与硅基器件大规模制造工艺通融，可使高性能二维薄膜材料器件的制造研发沿用大规模平面印刷工艺，工艺流程简单可控，重复性好，可用于自动化宏量生产。