专利详情

专利名称	一种铜铟镓硒四元半导体合金的制备方法
申请号	CN201310564384.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103572089A	公开（授权）日	2014.02.12
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	崔勇;熊良银;葛鹏;李明群;王雪松;刘实
主分类号	C22C1/10(2006.01)I	IPC主分类号	C22C1/10(2006.01)I;C22C30/02(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种铜铟镓硒四元半导体合金的制备方法至一种铜铟镓硒四元半导体合金的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明的目的在于提供一种铜铟镓硒四元半导体合金的制备方法，具体步骤为：将装有铜、铟、镓三种原料的石英坩埚放入真空感应炉中，抽真空，通入氩气，感应炉的真空度为20-30mmHg，逐渐升温到500-700℃，随后升温到900-1100℃，熔炼10-30min，随炉冷却，得到铜铟镓三元合金；将制好的铜铟镓三元合金与硒粉分别装入石英管的两端，抽真空，将石英管封管；采用管式炉对装有铜铟镓一端的石英管加热到850-950℃；用管式炉对石英管另一端装有硒粉的部分加热，加热到300-330℃，保温0-20min；300℃到500℃保温1-20h；500℃加热到750℃；当硒粉一端温度达750℃时，将铜铟镓一端的温度降到750℃，使铟与硒在750℃下反应5-60小时；关闭管式炉停止加热，冷却到室温，得到铜铟镓硒固体样品。