专利详情

专利名称	一种SiC肖特基二极管及其制作方法
申请号	CN201310580966.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103579375A	公开（授权）日	2014.02.12
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘新宇;许恒宇;汤益丹;蒋浩杰;赵玉印;申华军;白云;杨谦
主分类号	H01L29/872(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I
专利有效期	一种SiC肖特基二极管及其制作方法至一种SiC肖特基二极管及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种SiC肖特基二极管及其制作方法，该SiC肖特基二极管包括N++-SiC衬底和N--SiC外延层，N--SiC外延层形成于N++-SiC衬底之上，且N++-SiC衬底背面设有N型欧姆接触电极，N--SiC外延层表面设有肖特基接触电极，肖特基接触电极之下有选择性P+-SiC区域环，P+-SiC区域环之下有与P+-SiC区域环对应的N+-SiC区域环，作为雪崩击穿时的保护环；肖特基接触电极的外围设有多个P+-SiC保护环，作为该二极管器件的终端保护结构；在肖特基接触电极边缘设有SiO2钝化层，在SiO2钝化层上方设有场板。本发明使得SiC肖特基二极管的导通电压与Si肖特基二极管的导通电压相近，不仅与原有采用Si器件的系统匹配良好，而且可应用于Si肖特基器件所不能达到的高压600V-1200V的开关电源和功率因数校正电路中。