专利详情

专利名称	一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法
申请号	CN201310570937.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103560078A	公开（授权）日	2014.02.05
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘新宇;汤益丹;许恒宇;蒋浩杰;赵玉印;申华军;白云;杨谦
主分类号	H01L21/04(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/04(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I
专利有效期	一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法至一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种精确控制碳化硅高温离子注入掩模陡直性的方法，包括：清洗碳化硅外延衬底；在碳化硅外延衬底表面生长足以抵挡高温高能量离子注入的高温离子注入掩蔽层；在高温离子注入掩蔽层上生长用于控制刻蚀工艺的刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上涂敷光刻胶，采用光刻显影技术在刻蚀阻挡层表面形成选择性高温离子区域窗口；从选择性高温离子区域窗口依次对刻蚀阻挡层和高温离子注入掩蔽层进行刻蚀直至碳化硅外延衬底的表面；去除光刻胶及剩余的刻蚀阻挡层，得到侧壁光滑、陡直、可控的厚介质离子注入掩蔽层。本发明精确的对刻蚀面进行角度控制，得到侧壁光滑、陡直的厚介质离子注入掩蔽层，保证了选择性离子注入区域内的均一性良好、可控性强。