专利详情

专利名称	相变存储结构及制作方法
申请号	CN201310539734.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103560205A	公开（授权）日	2014.02.05
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	李俊焘;刘波;宋志棠;冯高明;朱南飞;任佳栋;徐佳
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	相变存储结构及制作方法至相变存储结构及制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种相变存储结构及制作方法，包括如下步骤：于一衬底上形成一相变合金材料层；并在其上表面形成上电极作为刻蚀阻挡层；图形化所述刻蚀阻挡层及相变材料层；在表面涂布光阻并采用回刻蚀的技术将刻蚀至与上电极表面高度平齐；在图形表面形成一层电介质并采用光刻与刻蚀技术定义出电介质图形，使电介质在上电极表面悬出；在上述结构表面包覆一层电介质，同时形成中空结构；再次沉积一层电介质封盖上述的中空结构从而形成空气间隔；本发明的空气间隔，一方面增大相变单元间的热阻，减少器件操作中的热损失从而降低操作功耗，同时也可减少存储单元间的热串扰；另一方面具有空气间隔的存储器件可以降低导线间的寄生电容，以提高操作速度。