专利详情

专利名称	应变结构及其制作方法
申请号	CN201310583275.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103560157A	公开（授权）日	2014.02.05
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	狄增峰;母志强;郭庆磊;叶林;陈达;张苗;王曦
主分类号	H01L31/0352(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	应变结构及其制作方法至应变结构及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种应变结构及其制作方法，该方法至少包括以下步骤：S1：提供一衬底，在所述衬底表面自下而上依次形成一牺牲层及一第一应力层；S2：将所述第一应力层图形化，形成桥状结构；所述桥状结构包括形成于所述牺牲层表面的一对基座及连接该一对基座的至少一根桥梁；S3：在一对所述基座表面形成第二应力层；S4：采用湿法腐蚀去除所述桥梁下方及所述基座相向两端下方的牺牲层，以使所述桥梁及一对所述基座相向两端悬空，该悬空的两端卷曲使所述桥梁拉伸，得到应变结构。本发明可以给一定范围内的任意材料施加高张应力，方法简单有效、与半导体工艺兼容，具有成本低，且制作速度快的优点。