专利详情

专利名称	一种隧穿场效应晶体管及其制备方法
申请号	CN201310574824.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103560153A	公开（授权）日	2014.02.05
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	刘畅;俞文杰;赵清太;王曦
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I
专利有效期	一种隧穿场效应晶体管及其制备方法至一种隧穿场效应晶体管及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种隧穿场效应晶体管及其制备方法，所述制备方法至少包括步骤：提供一具有顶层硅、埋氧层和底层硅的SOI衬底，在所述顶层硅两侧进行离子注入分别形成源极和漏极；在所述SOI衬底表面自下而上依次形成本征硅层、栅介质层和栅极层；利用光刻和刻蚀技术刻蚀所述本征硅层、栅介质层和栅极层形成堆叠结构，所述堆叠结构与所述源极部分交叠、与所述漏极在水平方向上具有一预设距离。本发明利用所述堆叠结构与源极的交叠，可以增大隧穿面积，进而增大驱动电流；另外，所述堆叠结构与所述漏极在水平方向上具有一预设距离，通过该预设距离可以抑制隧穿场效应晶体管中的双极性效应，降低亚阈电流。