专利详情

专利名称	一种光电混合存储的相变存储器结构及其制备方法
申请号	CN201310534339.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103559909A	公开（授权）日	2014.02.05
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	刘波;宋志棠;封松林
主分类号	G11C13/00(2006.01)I	IPC主分类号	G11C13/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	一种光电混合存储的相变存储器结构及其制备方法至一种光电混合存储的相变存储器结构及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种光电混合存储的相变存储器结构及其制备方法，包括以下步骤：提供一设有字线的衬底，在所述字线上制备若干导电通孔下电极；在所述导电通孔下电极层上制备选择开关器件；继续制备与选择开关器件接触的导电互连通孔电极；接着制备与其接触的半导体激光器；在所述半导体激光器层上制备与其接触的导电透明电极；继续制备与其接触的相变材料层；继续在所述相变材料层上制备导电反射层；接着在所述导电反射层上制备导电通孔上电极并形成位线。该相变存储器单元的特点是利用激光信号实现信息的写入和擦除，利用电信号实现信息的读出，从而充分利用了激光写入的高速特性和电信号读出的高信噪比特性，实现高速的相变存储器。