专利详情

专利名称	一种用于PoP封装的散热结构的制作方法
申请号	CN201310533245.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103560090A	公开（授权）日	2014.02.05
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司	发明（设计）人	侯峰泽;刘丰满
主分类号	H01L21/48(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I
专利有效期	一种用于PoP封装的散热结构的制作方法至一种用于PoP封装的散热结构的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种用于PoP封装的散热结构的制作方法，包括：制作上层封装基板，其中上层封装基板内有thermal?via，还有若干层大面积铜箔，四周有填充满铜的半过孔；将多个上层封装导热芯片或器件贴在或者焊在上层封装基板中的多个thermal?via上，形成上层封装体；制作下层封装体；在上层封装基板背面焊盘上刷锡膏，钢网植BGA球并回流，形成BGA支撑球；在下层封装体基板上表面焊盘上刷焊锡膏，下层封装焊盘与上层封装体BGA支撑球对齐后，回流实现上层封装体与下层封装体互联；在下层封装体基板背面焊盘上刷锡膏，钢网植BGA球，回流实现下层封装体植球；在上层封装体顶部上设置一个散热罩，在上层封装导热芯片或器件与散热罩之间涂一层高导热率热界面材料。