专利详情

专利名称	胺基/氧化胺修饰的苝二酰亚胺衍生物，其制备方法及应用
申请号	CN201310566230.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103554106A	公开（授权）日	2014.02.05
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	张志国;王吉政;靳志文;李永舫
主分类号	C07D471/06(2006.01)I	IPC主分类号	C07D471/06(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I
专利有效期	胺基/氧化胺修饰的苝二酰亚胺衍生物，其制备方法及应用至胺基/氧化胺修饰的苝二酰亚胺衍生物，其制备方法及应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种胺基/氧化胺修饰的苝二酰亚胺衍生物及其制备方法与应用。本发明提供的胺基修饰的苝二酰亚胺衍生物，其结构通式如式I或式II所示，其中，R1选自C1-C10的亚烷基；R2可以相同或不同，各自独立地选自H，C1-C10的烷基，R4取代的C1-C10的烷基；其中R4选自羟基、卤素，烷氧基；R3可以相同或不同，各自独立地选自H、OH、N（R5）2、Cl或Br，其中R5相同或不同，选自H或C1-6烷基。这些苝二酰亚胺材料合成路线具有简单高效、环境污染小、原料廉价、合成成本低、具有很好普适性和重复性等优点，所述胺基氧化胺极性基团不含有对阴离子，显著提高器件的稳定性。