专利详情

专利名称	原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料及其制备方法
申请号	CN201310504623.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103553616A	公开（授权）日	2014.02.05
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	裴兵兵;朱云洲;黄政仁;姚秀敏;袁明
主分类号	C04B35/524(2006.01)I	IPC主分类号	C04B35/524(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I
专利有效期	原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料及其制备方法至原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料及其制备方法，所述制备方法包括：（1）浆料制备：将聚碳硅烷、催化剂、和溶剂混合球磨制得浆料，其中所述催化剂为铁、镍、和/或二茂铁；（2）真空高压浸渍：将C纤维预制体浸入所述浆料中，于真空状态下保持0.1～1小时，然后通入高压惰性气体至1～10MPa，保压1～4小时；（3）交联固化：将浸渍过的C纤维预制体放于空气中6小时以上进行交联固化制得预成型体；以及（4）高温裂解：将所述预成型体在保护气氛下以2～10℃/分钟的升温速率升温至1000～1300℃保温1～4小时，以在所述聚碳硅烷热解过程中在金属催化剂作用下原位生长SiC纳米线，从而制得所述原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料。