专利详情

专利名称	一种半导体结构
申请号	CN201190000056.7	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN203415553U	公开（授权）日	2014.01.29
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司	发明（设计）人	尹海洲;朱慧珑;骆志炯
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I
专利有效期	一种半导体结构至一种半导体结构	法律状态
说明书摘要	本实用新型提供一种半导体结构，该半导体结构包括衬底(100)、栅极堆叠、第一层间介质层(115)、源/漏区(101)，其中：所述源/漏区(101)嵌于所述衬底(100)中，所述栅极堆叠形成在所述衬底(100)之上，所述第一层间介质层(115)覆盖所述源/漏区(101)，所述栅极堆叠依次包括：与衬底(100)接触的栅极介质层(111)、金属栅极(112)和CMP停止层(113)，其中，所述CMP停止层(113)的硬度系数大于多晶硅的硬度系数。本实用新型通过增加CMP停止层，有效降低了金属栅的高度，因此有效减少了金属栅与接触区的电容，并优化了后续的接触孔刻蚀工艺。