专利详情

专利名称	抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路
申请号	CN201310438775.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103546145A	公开（授权）日	2014.01.29
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	宿晓慧;毕津顺;罗家俊;韩郑生;郝乐
主分类号	H03K19/0948(2006.01)I	IPC主分类号	H03K19/0948(2006.01)I
专利有效期	抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路至抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路，包括：第一缓冲器，其输入端接输入信号，输出第一缓冲信号（out1），用于消除“低高低”型脉冲；第二缓冲器，其输入端接输入信号，输出第二缓冲信号（out2），用于消除“高低高”型脉冲；8个MOS管，其输出的信号（out_inv）满足反相器，输入（out_inv）信号，输出信号（out）作为抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路的输出信号。本发明采用不同上/下拉驱动能力的缓冲器得到分别能够滤除一种干扰脉冲的（out1）和（out2）信号。采用8个MOS管和1个反相器，通过逻辑操作使得输出信号（out）能够滤除两种干扰脉冲。