专利详情

专利名称	一种具有W型有源区结构的带间级联激光器
申请号	CN201310529303.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103545713A	公开（授权）日	2014.01.29
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	张宇;邢军亮;徐应强;任正伟;牛智川
主分类号	H01S5/20(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/20(2006.01)I
专利有效期	一种具有W型有源区结构的带间级联激光器至一种具有W型有源区结构的带间级联激光器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种具有W型有源区结构的带间级联激光器。该激光器是通过在GaSb衬底上，依次制备InAs／AlSb下限制层、GaSb下波导层、W型有源区、GaSb上波导层、InAs／AlSb上限制层和InAs接触层。W型有源区由InAs／AlSb电子注入区、InAs／AlSb空穴注入区和InAs／GaInSb／AlSb／GaInSb／InAs?W型量子阱组成。本发明是把W型有源区结构(InAs／GaInSb／AlSb／GaInSb／InAs)和带间级联激光器结构结合而形成的。本发明公开的这种带间级联激光器，通过增加有源区内电子、空穴波函数交叠，从而提高有源区增益和激光器性能。