分布反馈式激光器及其制备方法
- 申请号：CN201310498595.3
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号：CN103545711A
- 公开(公开)日：2014.01.29
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 分布反馈式激光器及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN201310498595.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103545711A | 公开（授权）日 | 2014.01.29 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王火雷;米俊萍;于红艳;丁颖;王宝军;边静;王圩;潘教青 |
| 主分类号 | H01S5/12(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/12(2006.01)I;H01S5/125(2006.01)I |
| 专利有效期 | 分布反馈式激光器及其制备方法 至分布反馈式激光器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供了一种分布反馈式激光器及其制备方法。该分布反馈式激光器包括：N型GaAs衬底；以及依次沉积于N型GaAs衬底上的N型GaAs缓冲层、N型AlGaAs下限制层、有源区、P型AlGaAs上限制层。其中，P型AlGaAs上限制层经刻蚀形成其至少一侧具有边墙光栅的脊形波导。本发明分布反馈式激光器中，由于将光栅刻蚀在脊形波导的侧面，从而可以一次性外延所有层，AlGaAs材料不会暴露在空气中，从而不会产生Al氧化问题，进而可有效提高激光器的功率和寿命。 | ||
交易流程
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