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薄膜紫外光探测器及其制备方法与应用

  • 申请号:CN201310521558.X
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院化学研究所
  • 公开(公开)号:CN103545397A
  • 公开(公开)日:2014.01.29
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 薄膜紫外光探测器及其制备方法与应用
申请号 CN201310521558.X 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103545397A 公开(授权)日 2014.01.29
申请(专利权)人 中国科学院化学研究所 发明(设计)人 靳志文;王吉政
主分类号 H01L31/09(2006.01)I IPC主分类号 H01L31/09(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0296(2006.01)I
专利有效期 薄膜紫外光探测器及其制备方法与应用 至薄膜紫外光探测器及其制备方法与应用 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种薄膜紫外光探测器及其制备方法与应用。该薄膜光电导探测器,包括基底和在其上的图案化的电极层,在所述图案化的电极层的正极和负极之间具有光敏感层,所述光敏感层包括氧化锌层和纳米金颗粒层。该探测器结合了氧化锌的高迁移率和金纳米颗粒与氧化锌界面形成的大面积的氧空位层低导电层,高迁移率导致了短的电子渡越时间,大面积的氧空位低导电层导致了长的光激子的寿命,当光照射到器件上时,材料吸光产生载流子很快并大量的被电极收集产生很大的G值,从而提高了探测器的灵敏度。同时器件所用到的超薄的活性层材料对可见光的吸收与散射特别低,其透光性能也极佳。因此,这种薄膜紫外光探测器具有重要的应用价值。

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