专利详情

专利名称	抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路
申请号	CN201310438818.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103546146A	公开（授权）日	2014.01.29
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	宿晓慧;毕津顺;罗家俊;韩郑生;郝乐
主分类号	H03K19/0948(2006.01)I	IPC主分类号	H03K19/0948(2006.01)I
专利有效期	抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路至抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路，该电路由第一缓冲器（101），第二缓冲器（102），选通PMOS管（103），选通NMOS管（104）和反相器（105）构成；其中第一缓冲器用于消除“高低高”型脉冲，其输入端连接抗单粒子瞬态脉冲电路输入端，输出端连接选通PMOS管（103）的栅极；第二缓冲器用于消除“低高低”型脉冲，输入端连接抗单粒子瞬态脉冲电路输入端，输出端连接选通NMOS管（104）的栅极。选通PMOS管（103）漏极同选通NMOS管（104）漏极相连，作为反相器（105）的输入端；反相器（105）的输出端作为抗单粒子瞬态脉冲电路的输出端。