专利详情

专利名称	一种制备氮化硼单晶的装置及方法
申请号	CN201310543084.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103541000A	公开（授权）日	2014.01.29
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	黄俊;徐科;王建峰;任国强
主分类号	C30B25/08(2006.01)I	IPC主分类号	C30B25/08(2006.01)I;C30B25/10(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I
专利有效期	一种制备氮化硼单晶的装置及方法至一种制备氮化硼单晶的装置及方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种制备氮化硼单晶的设备及方法，所述方法包括如下步骤（1）提供一衬底，所述衬底放置在反应部内部的支撑部上；（2）启动加热部，将衬底加热至一第二温度；（3）将反应气体及载气通入所述反应部中，以在衬底上生长氮化硼单晶；其中，所述反应气体为三氯化硼和氨气。本发明的优点在于：1、三氯化硼和氨气作为反应气体以制备氮化硼单晶，以氮化硼多晶或刚玉作为反应部的材料，避免三氯化硼对反应部的腐蚀。2、采用感应加热，可得到晶格质量高的氮化硼单晶。3、使用气相外延技术，可以在较大衬底生长氮化硼单晶，能够制备大尺寸的氮化硼单晶且生长速度快。4、生长设备简单，用材料易得，成本较低，可用于大规模生产。