专利详情

专利名称	一种低功函数金属栅形成方法
申请号	CN201210241699.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103545182A	公开（授权）日	2014.01.29
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	韩锴;王晓磊;王文武;杨红;马雪丽
主分类号	H01L21/28(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	一种低功函数金属栅形成方法至一种低功函数金属栅形成方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明实施例公开了一种低功函数金属栅形成方法，该方法包括：提供衬底；在衬底上生长界面层薄膜；在界面层薄膜上生长高K栅介质层；在高K栅介质层上沉积金属栅功函数层；在金属栅功函数层上沉积功函数调节层；在功函数调节层上沉积填充金属，并进行热处理；进行一次热退火处理和/或二次热退火处理，其中，所述一次热退火处理在生长高K栅介质层完成后进行，所述二次热退火处理在沉积金属栅功函数层完成后进行。通过本发明实施例所提供的技术方案，可以有效增强调节层低功函数金属对于功函数的调节能力，从而实现CMOS器件在低漏电流情况下的低阈值电压。