专利详情

专利名称	一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室
申请号	CN201310437339.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103540914A	公开（授权）日	2014.01.29
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	王劼;张立国;范亚明;张洪泽
主分类号	C23C16/46(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/46(2006.01)I
专利有效期	一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室至一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室，包括：具有双层管状结构的水冷壁，该水冷壁的内管腔中设有反应室，而内、外管之间至少与该反应室相应的区域内分布有冷却介质容置腔；设于该反应室内的加热基座，且该加热基座上分布有若干凹槽；分布于该加热基座与水冷壁内管之间的整流罩；至少绕设在该水冷壁外壁上与该反应室相应区域内的感应线圈。本发明通过采用桶式结构的反应室，可以满足多片晶片同时生长，而通过采用射频感应加热，同时有直接热传导和辐射加热，提高了晶片温度分布的均匀性，尤其是对于大尺寸的晶片来说，加热不受反应室直径大小的限制，加热速度快、效率高、温度高、加热状态稳定，适合在大尺寸的高温CVD反应室中使用。