专利详情

专利名称	一种大尺寸氧化镓单晶的生长方法及生长装置
申请号	CN201310559528.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103541008A	公开（授权）日	2014.01.29
申请（专利权）人	上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	唐慧丽;徐军;钱小波;罗平;姜大朋;吴锋;王静雅;唐飞
主分类号	C30B29/16(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/16(2006.01)I;C30B15/36(2006.01)I
专利有效期	一种大尺寸氧化镓单晶的生长方法及生长装置至一种大尺寸氧化镓单晶的生长方法及生长装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种大尺寸氧化镓单晶的生长方法及生长装置，该方法包括：在单晶炉内安装用于加热和保温形成热场的多个热场部件，其水平同中心安装；将内嵌有铱金模具的带盖铱金坩埚放入热场中心；将特定取向的β-Ga2O3籽晶固定于籽晶夹具；将氧化镓原料放入铱金坩埚内，盖好铱金坩埚盖；抽真空后按混合气比例Ar:CO2=9:1～8:2充至炉腔压强为1.05～1.5MPa；感应加热使氧化镓原料完全融化；烤籽晶5～10分钟后接种；待籽晶与熔体充分熔接后引晶缩颈，直至籽晶截面尺寸缩小至1～2mm；扩肩生长阶段；等径生长阶段；晶体生长结束完全脱离模具顶端时停止提拉，缓慢降至室温，获得透明完整无晶界的高质量片状氧化镓单晶。