专利详情

专利名称	一种低温高电阻温度系数无热滞薄膜材料及其制备方法
申请号	CN201310496560.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103540903A	公开（授权）日	2014.01.29
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	金平实;曹逊;周怀娟;姜萌;罗宏杰
主分类号	C23C14/35(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I
专利有效期	一种低温高电阻温度系数无热滞薄膜材料及其制备方法至一种低温高电阻温度系数无热滞薄膜材料及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种低温高电阻温度系数无热滞薄膜材料及其制备方法，所述薄膜材料是以金属钒、金属M、和金属N为靶材，以氩气为溅射气体、以及以氧气为反应气体对所述靶材进行磁控溅射而在衬底上形成的V2-x-yMxNyO3薄膜，其中x为0.2以下且大于零，y为0.2以下且大于零，其中掺杂元素M为W、Mo、Mg、Sb、Nb、和/或Al，掺杂元素N为Ti、Cr、和/或Zn，所述薄膜材料在80K～225K之间具有无热滞的电阻-温度回线。本发明的薄膜材料基于低成本的三氧化二钒基薄膜材料，通过调控元素掺杂含量，在基本不改变薄膜热色性能的前提下，达到消除V2O3薄膜热滞回线的目的，可望应用于低温温度计或低温空间红外探测。