埋入式电阻合金材料、埋入式电阻薄膜及其制备方法
- 申请号：CN201310530701.1
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院深圳先进技术研究院
- 公开(公开)号：CN103540799A
- 公开(公开)日：2014.01.29
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 埋入式电阻合金材料、埋入式电阻薄膜及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN201310530701.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103540799A | 公开（授权）日 | 2014.01.29 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 孙蓉;苏星松;符显珠;郭慧子 |
| 主分类号 | C22C19/03(2006.01)I | IPC主分类号 | C22C19/03(2006.01)I;C23C18/50(2006.01)I;C23C18/30(2006.01)I;H01C7/00(2006.01)I;H01C17/18(2006.01)I |
| 专利有效期 | 埋入式电阻合金材料、埋入式电阻薄膜及其制备方法 至埋入式电阻合金材料、埋入式电阻薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种埋入式电阻合金材料、埋入式电阻薄膜及其制备方法。该埋入式电阻合金材料按质量百分比计，包括镍80～97%、钼0.1～8%和磷2～12%。将该埋入式合金材料制成埋入式电阻薄膜，经实验表明，该埋入式电阻薄膜具有较好的耐蚀性、热稳定性和抗老化性能。 | ||
交易流程
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