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场致发射电子源的驱动控制电路

  • 申请号:CN201310476396.2
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:深圳先进技术研究院
  • 公开(公开)号:CN103531421A
  • 公开(公开)日:2014.01.22
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 场致发射电子源的驱动控制电路
申请号 CN201310476396.2 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103531421A 公开(授权)日 2014.01.22
申请(专利权)人 深圳先进技术研究院 发明(设计)人 陈垚;郑海荣;胡信菊;曾成志;李彦明;张其阳;洪序达
主分类号 H01J35/02(2006.01)I IPC主分类号 H01J35/02(2006.01)I;H02H3/08(2006.01)I
专利有效期 场致发射电子源的驱动控制电路 至场致发射电子源的驱动控制电路 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及一种场致发射电子源的驱动控制电路,包括场致发射电子源,还包括脉冲信号输入端、保护电阻、可调电阻以及开关管;所述脉冲信号输入端与所述保护电阻的一端连接,用于输入脉冲信号;所述保护电阻的另一端连接所述开关管的控制端,所述开关管的低压端接地,所述开关管的高压端与所述可调电阻的一端连接,所述可调电阻的另一端连接所述场致发射电子源的场发射阴极,所述场致发射电子源的栅控门极用于连接直流电源。本发明在IGBT的输入极(即栅极)接入保护电阻,当有过冲电流时,保护电阻两端电压增大,IGBT栅极与发射极之间的电压减小,从而抑制电流过冲。

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