专利详情

专利名称	一种高速低功耗相变存储器单元及其制备方法
申请号	CN201310500580.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103531710A	公开（授权）日	2014.01.22
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋志棠;吴良才;周夕淋;吕士龙
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	一种高速低功耗相变存储器单元及其制备方法至一种高速低功耗相变存储器单元及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种高速低功耗相变存储器单元及其制备方法，用于提升相变存储器中相变存储单元的操作速度，降低相变存储单元的操作功耗；其特征在于采用微纳加工技术（如聚焦离子束，FIB）去除一部分与加热电极相接触的相变材料层。本发明缩小了相变材料层的体积，使其与加热电极的接触面积极大的减小，三维纳米尺度得存储单元制备得以实现，使存储性能实现高速低功耗。在三维存储单元实现稳定工艺与稳定性能的基础上，在一个相同的底电极上进一步制备出4个及4个以上同等尺寸的存储单元，研究40纳米以下技术节点的高密度存储特性的串扰与存储特性，本发明可直接用于指导工程化相变存储芯片的设计、工艺、测试等，是研发与工程化联系的桥梁。