半导体器件制造方法
- 申请号：CN201210228598.0
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN103531540A
- 公开(公开)日：2014.01.22
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体器件制造方法 | ||
| 申请号 | CN201210228598.0 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103531540A | 公开（授权）日 | 2014.01.22 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 韩锴;王晓磊;王文武;杨红;马雪丽 |
| 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体器件制造方法 至半导体器件制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供了一种具有双功函数金属栅的CMOS晶体管的制造方法，其中，在不同MOS区域，形成不同厚度的栅极材料，然后，将金属铝作为调节功函数的金属引入，通过退火工艺，利用Al停留在栅极层可以获得较低功函数、进入栅绝缘层可以获得较高功函数的特点，实现了CMOS晶体管的双功函数金属栅，简化了双功函数晶体管的集成工艺。 | ||
交易流程
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专利 -
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