半导体器件制造方法
- 申请号：CN201210229456.6
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN103531476A
- 公开(公开)日：2014.01.22
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体器件制造方法 | ||
| 申请号 | CN201210229456.6 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103531476A | 公开（授权）日 | 2014.01.22 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 孟令款 |
| 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体器件制造方法 至半导体器件制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成栅极堆叠结构；在衬底以及栅极堆叠结构上沉积介质材料层；执行主刻蚀，刻蚀介质材料层形成侧墙，并在衬底上留有介质材料层的残留；执行过刻蚀，去除介质材料层的残留。依照本发明的半导体器件制造方法，不采用氧化硅的刻蚀阻挡层，而是采用碳氟基气体进行两步刻蚀，降低对衬底的损伤的同时还降低了工艺复杂性，此外还能优化阀值电压、有效降低EoT、提高栅控能力以及驱动电流。 | ||
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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