专利详情

专利名称	一种降低氮化镓纳米线阵列晶体缺陷密度的方法
申请号	CN201210234053.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103531447A	公开（授权）日	2014.01.22
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	姜辛;刘宝丹
主分类号	H01L21/205(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/205(2006.01)I
专利有效期	一种降低氮化镓纳米线阵列晶体缺陷密度的方法至一种降低氮化镓纳米线阵列晶体缺陷密度的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种降低氮化镓纳米线阵列晶体缺陷密度的方法，属于半导体技术和纳米技术领域。该方法是在生长衬底和初始缓冲层之间引入与衬底晶格不匹配的阻挡层，用于阻挡缺陷由衬底向氮化镓纳米线阵列晶体内部扩散，然后利用自组装技术和同质外延生长技术在缓冲层表面形成氮化镓缓冲层和实现同质外延生长形成氮化镓纳米线阵列；本发明能够显著抑制缺陷从衬底向其表面晶体内部传播，从而保证氮化镓半导体材料具有较强本征带隙发光及非常弱的缺陷发光，达到半导体器件对材料晶体缺陷密度的要求。