专利详情

专利名称	氧化硅及氮化硅双层复合侧墙的刻蚀方法
申请号	CN201210228815.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103531473A	公开（授权）日	2014.01.22
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	孟令款
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I
专利有效期	氧化硅及氮化硅双层复合侧墙的刻蚀方法至氧化硅及氮化硅双层复合侧墙的刻蚀方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种氧化硅及氮化硅双层复合侧墙的刻蚀方法，首先在形成偏移隔离侧墙的半导体器件上，在轻掺杂漏注入及Halo工艺之后，先后沉积上氧化硅、氮化硅薄膜；然后是主刻蚀步骤：将氮化硅薄膜刻蚀到一个特定厚度；接着是过刻蚀步骤，再刻蚀余下的氮化硅薄膜并停止在下面的氧化硅薄膜上，同时将整个晶片表面余下的氮化硅刻蚀干净，从而形成氧化硅、氮化硅复合双层侧墙；其中主刻蚀步骤完成后直接转换到过刻蚀步骤。主刻蚀步骤可使ON侧墙形貌不至于太过于倾斜，从而控制侧墙底部的有效宽度，进而控制器件的栅极宽度。而过刻蚀步骤采用对氧化硅有高选择性的菜单，能使得晶片上残余的氮化硅刻蚀干净，避免对衬底造成损伤。