专利详情

专利名称	基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法
申请号	CN201310503797.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103531441A	公开（授权）日	2014.01.22
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	喻颖;李密锋;贺继方;査国伟;徐建星;尚向军;王莉娟;倪海桥;贺振宏;牛智川
主分类号	H01L21/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/02(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I
专利有效期	基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法至基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法，包括如下步骤：步骤1：取一Si衬底，该Si衬底的表面存在自然形成的二氧化硅薄层；步骤2：对Si衬底进行清洗；步骤3：采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长GaAs纳米线，对该GaAs纳米线选择性进行N型或P型掺杂；步骤4：采用高As压处理消耗GaAs纳米线顶端的Ga液滴，抑制GaAs纳米线的顶端VLS生长；步骤5：在低As压的环境中，在GaAs纳米线的侧壁上低速淀积InAs量子点；步骤6：在InAs量子点上生长GaAs层，形成分叉结构基片；步骤7：在分叉结构基片上覆盖AlGaAs势垒层；步骤8：在AlGaAs势垒层的表面生长GaAs保护层，进行工艺制备形成可调控多端量子器件，完成制备。