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外腔半导体激光器

  • 申请号:CN201210233734.5
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院深圳先进技术研究院
  • 公开(公开)号:CN103532012A
  • 公开(公开)日:2014.01.22
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 外腔半导体激光器
申请号 CN201210233734.5 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103532012A 公开(授权)日 2014.01.22
申请(专利权)人 中国科学院深圳先进技术研究院 发明(设计)人 肖啸;鲁远甫;于峰崎;金雷
主分类号 H01S5/14(2006.01)I IPC主分类号 H01S5/14(2006.01)I;G02B1/11(2006.01)I
专利有效期 外腔半导体激光器 至外腔半导体激光器 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 一种外腔半导体激光器,包括半导体光放大器和依次设置于所述半导体光放大器输出光的光路上的准直透镜、布儒斯特窗片、可旋转的单腔全介质薄膜法布里-珀罗滤光片、部分反射镜,以及致动机构;所述准直透镜的出射光入射到所述布儒斯特窗片上的入射角为布儒斯特角;所述部分反射镜垂直于所述单腔全介质薄膜法布里-珀罗滤光片出射光的光路;所述致动机构与所述单腔全介质薄膜法布里-珀罗滤光片以及所述部分反射镜传动连接,以使所述单腔全介质薄膜法布里-珀罗滤光片旋转,且使所述部分反射镜沿自身的法线方向移动。上述外腔半导体激光器可以实现输出波长的线性连续调谐,并且输出光的方向不随波长调谐而改变。

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