专利详情

专利名称	一种用于可配置位宽RAM的写入路径选择及控制电路
申请号	CN201310461686.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103530234A	公开（授权）日	2014.01.22
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	赵岩;于芳
主分类号	G06F12/02(2006.01)I	IPC主分类号	G06F12/02(2006.01)I;G11C8/10(2006.01)I;G11C7/00(2006.01)I
专利有效期	一种用于可配置位宽RAM的写入路径选择及控制电路至一种用于可配置位宽RAM的写入路径选择及控制电路	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种用于可配置位宽RAM的写入路径选择及控制电路，该电路包括：位宽配置译码电路、地址使能译码电路、地址采样电路、地址跳转电路、路径选择控制电路以及写入路径选择电路。采用了可配置的电路设计控制写入路径的位宽，即RAM的写入路径的位宽可以根据配置信号来决定。这样是得RAM可以更加方便的应用与FPGA等可配置器件中。本发明的写入路径的可配置位宽的最大位数可达到32位，扩展了RAM的实用范围，使得RAM具有了快速写入数据的功能。