专利详情

专利名称	在第一次光刻工艺中对准方形晶圆的方法
申请号	CN201310485162.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103529658A	公开（授权）日	2014.01.22
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	孔庆峰;郭金霞;马平;王丽;刘志强;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽
主分类号	G03F9/00(2006.01)I	IPC主分类号	G03F9/00(2006.01)I
专利有效期	在第一次光刻工艺中对准方形晶圆的方法至在第一次光刻工艺中对准方形晶圆的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种在第一次光刻工艺中方形晶圆对准的方法。该方法包括：步骤A，在对方形晶圆进行第一次曝光的掩模板上掩模图形的外围，制备对准标记；步骤B，在第一次曝光工艺中，利用掩模板上的对准标记，将方形晶圆限定在预设区域内，由掩模图形对方形晶圆进行曝光；以及步骤C，在第二次曝光工艺以及后续曝光工艺中，利用前一次光刻工艺留下的对准标记对方形晶圆进行对准。本发明简单可靠、易于实现，可保证方形晶圆边沿管芯完整，提高芯片产能。