专利详情

专利名称	一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路
申请号	CN201310491719.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103531250A	公开（授权）日	2014.01.22
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	龙世兵;王国明;张美芸;李阳;王明;许晓欣;刘若愚;李丛飞;刘红涛;孙鹏霄;吕杭炳;刘琦;刘明
主分类号	G11C29/56(2006.01)I	IPC主分类号	G11C29/56(2006.01)I
专利有效期	一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路至一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种对RRAM器件的脉冲参数进行测试的电路，包括半导体参数分析仪、脉冲源、探针平台和双通道示波器，半导体参数分析仪作为控制平台，同时连接于探针台和脉冲源，并通过配置脉冲源参数控制脉冲源的波形；示波器是当脉冲源向待测RRAM器件发出脉冲时，捕获脉冲图形；示波器具有第一通道和第二通道，第一通道具有第一内阻R1，第二通道具有第二内阻R2，待测RRAM器件与示波器第二通道的第二内阻R2串联，脉冲源与待测RRAM器件连接，示波器的第一通道并联连接于待测RRAM器件与第二内阻R2的串联支路。利用本发明，解决了RRAM器件在脉冲测试过程中不能限流的问题，使RRAM器件在脉冲测试时得到稳定的脉冲测试电压，而不会因编程或擦除后影响整个电路的稳定。