专利详情

专利名称	制备六棱柱纳米微腔中的量子点单光子源的方法
申请号	CN201310503124.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103531679A	公开（授权）日	2014.01.22
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	喻颖;査国伟;徐建星;尚向军;李密锋;倪海桥;贺振宏;牛智川
主分类号	H01L33/04(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/04(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;B82Y10/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	制备六棱柱纳米微腔中的量子点单光子源的方法至制备六棱柱纳米微腔中的量子点单光子源的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种制备六棱柱纳米微腔中的量子点单光子源的方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体衬底，在该半导体衬底上生长二氧化硅层，该二氧化硅层上含有氧化孔洞；步骤2：对生长有二氧化硅层的半导体衬底进行清洗；步骤3：采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长GaAs纳米线，该GaAs纳米线的顶端形成一Ga液滴；步骤4：采用高As压处理消耗GaAs纳米线顶端的Ga液滴，抑制GaAs纳米线的轴向VLS生长，形成六棱柱状结构；步骤5：在六棱柱状结构的侧壁淀积第一AlGaAs势垒层，在AlGaAs势垒层的表面低速淀积GaAs量子点；步骤6：在GaAs量子点上覆盖第二AlGaAs势垒层；步骤7：在第二AlGaAs势垒层的表面生长GaAs保护层，完成制备。