半导体器件及其制造方法
- 申请号：CN201210229543.1
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN103531455A
- 公开(公开)日：2014.01.22
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201210229543.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103531455A | 公开（授权）日 | 2014.01.22 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;朱慧珑;张珂珂 |
| 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成T型伪栅极结构；去除T型伪栅极结构，留下T型栅极沟槽；在T型栅极沟槽中填充金属层，形成T型金属栅极结构。依照本发明的半导体器件制造方法，通过形成T型伪栅极以及T型栅极沟槽，避免了后续金属栅极填充工艺中的悬挂现象以及孔洞形成，提高了器件性能。 | ||
交易流程
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