专利详情

专利名称	一种石墨烯的制备方法
申请号	CN201310492787.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103523770A	公开（授权）日	2014.01.22
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	狄增峰;王刚;陈达;陆子同;叶林;郑晓虎;张苗;丁古巧;谢晓明
主分类号	C01B31/02(2006.01)I	IPC主分类号	C01B31/02(2006.01)I;C23C14/48(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I
专利有效期	一种石墨烯的制备方法至一种石墨烯的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种石墨烯的制备方法，该石墨烯的制备方法至少包括步骤：首先，提供一SiC基底；接着，采用离子注入技术在所述SiC基底中注入Ge；最后，对上述形成的结构进行退火处理，注入的Ge在退火过程中会迫使所述SiC中的Si和C极易断键，断键后的Si和注入的Ge形成SiGe，断键后的C在所述SiGe表面重组形成石墨烯。本发明只需要常压或低压以及低温就能够制备出石墨烯，对制备仪器的要求较低，并且节约能源、减少成本，适用于工业化生产。