超硬半导体材料抛光方法
- 申请号：CN201210202351.1
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号：CN103506928A
- 公开(公开)日：2014.01.15
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 超硬半导体材料抛光方法 | ||
| 申请号 | CN201210202351.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103506928A | 公开（授权）日 | 2014.01.15 |
| 申请（专利权）人 | 上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 黄维;王乐星;庄击勇;陈辉;杨建华;施尔畏 |
| 主分类号 | B24B29/02(2006.01)I | IPC主分类号 | B24B29/02(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;C09G1/02(2006.01)I |
| 专利有效期 | 超硬半导体材料抛光方法 至超硬半导体材料抛光方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种超硬半导体材料抛光方法，通过参数非常接近的粗抛、精抛、化学机械抛光三个抛光工艺流程，可使被加工的超硬半导体材料获得极低表面粗糙度且具有原子台阶表面。本发明仅使用三个工艺，大大简化了超硬材料的抛光流程，降低了成本，保证了加工质量的一致性和稳定性，提高了成品率。 | ||
交易流程
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选取所需
专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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平台保障
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