专利详情

专利名称	一种高纯碳化硅原料的制备方法
申请号	CN201210202086.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103508454A	公开（授权）日	2014.01.15
申请（专利权）人	上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	陈建军;王辉;孔海宽;忻隽;刘熙;肖兵;杨建华;施尔畏
主分类号	C01B31/36(2006.01)I	IPC主分类号	C01B31/36(2006.01)I
专利有效期	一种高纯碳化硅原料的制备方法至一种高纯碳化硅原料的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种高纯碳化硅原料的制备方法，所述方法包括如下步骤：提供高纯硅粉和高纯碳粉；所述高纯硅粉和高纯碳粉充分混合后放置于坩埚，于1400-2200℃的高温炉中形成一次碳化硅料，所述一次碳化硅料压碎后在氧化炉中经过600-1400℃的高温氧化，形成二次碳化硅料；所述二次碳化硅料在高真空炉中经过800-1600℃高温真空脱气，形成三次碳化硅料；所述三次碳化硅料经过湿法化学冶金处理，得到高纯碳化硅原料。