专利详情

专利名称	半导体器件测试方法
申请号	CN201210214365.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103512508A	公开（授权）日	2014.01.15
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	付作振;马小龙;殷华湘
主分类号	G01B11/16(2006.01)I	IPC主分类号	G01B11/16(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I
专利有效期	半导体器件测试方法至半导体器件测试方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种半导体器件测试方法，包括：在衬底上形成栅绝缘介质层；在栅绝缘介质层上形成无应力金属屏蔽层；在无应力金属屏蔽层中形成栅极形状的多个无应力金属屏蔽层线条构成的凹槽阵列；在凹槽阵列中形成应力金属栅层；去除无应力金属屏蔽层顶部的应力金属栅层，余下的应力金属栅在衬底中形成多个沟道应变区；采用Raman测量凹槽阵列中应力金属栅层下方的短沟道衬底应变。依照本发明的半导体器件测试方法，在无应力金属屏蔽薄膜中形成栅极形状的凹槽阵列，通过较厚金属屏蔽层屏蔽除应力金属栅材料正下方以外的Raman光波信号，实现短沟道应变的Raman测量。