提高CdS和CdSe纳米材料电导率和光电流的方法
- 申请号：CN201310470086.X
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海技术物理研究所
- 公开(公开)号：CN103500703A
- 公开(公开)日：2014.01.08
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 提高CdS和CdSe纳米材料电导率和光电流的方法 | ||
| 申请号 | CN201310470086.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103500703A | 公开（授权）日 | 2014.01.08 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 张礼杰;朱大鸣;戴宁 |
| 主分类号 | H01L21/263(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/263(2006.01)I |
| 专利有效期 | 提高CdS和CdSe纳米材料电导率和光电流的方法 至提高CdS和CdSe纳米材料电导率和光电流的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种提高CdS和CdSe纳米材料电导率和光电流的方法，它利用电子束辐照提高了CdS和CdSe低维纳米材料电导率和光电流。本发明的方法简单、可控，且所需的电子束能量低（0.2-30keV），用扫描电子显微镜即可实现。在高真空环境中（优于1×10-3Pa），利用该方法能极大幅度提高CdS和CdSe低维纳米材料的电导率（>105倍）和光电流（达5倍）。 | ||
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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