专利详情

专利名称	一种相变存储器电极结构的制备方法
申请号	CN201310461919.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103500795A	公开（授权）日	2014.01.08
申请（专利权）人	上海新安纳电子科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	何敖东;宋志棠;刘波;王良咏;刘卫丽
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	一种相变存储器电极结构的制备方法至一种相变存储器电极结构的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种相变存储器电极结构的制备方法，首先在硅衬底上依次沉积第一绝缘层和第二绝缘层，然后刻蚀形成贯通第一绝缘层和第二绝缘层的圆孔状凹槽Ⅰ；在凹槽Ⅰ内沉积钨材料；再通过干法回蚀刻蚀填充于凹槽Ⅰ内的钨材料至其上表面与第一绝缘层的上表面齐平，形成圆孔状凹槽Ⅱ，沟槽Ⅱ底部的钨材料作为下电极；然后在凹槽Ⅱ的内表面及第二绝缘层的上表面上沉积导电薄膜层，继而在沟槽Ⅱ内填充第三绝缘层材料，然后化学机械抛光去除第二绝缘层上表面上多余的第三绝缘层材料和导电薄膜层，剩余导电薄膜层作为上电极；本方法具有大大提高器件的良率，并提高硅片内环形电极高度的均匀性，使得相变过程中的电阻分布变窄，提高器件的稳定性的特点。