专利详情

专利名称	基于砷阀开关的II类超晶格结构及制备方法
申请号	CN201310470180.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103500765A	公开（授权）日	2014.01.08
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	陈建新;王芳芳;徐志成;周易;徐庆庆
主分类号	H01L31/0304(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	基于砷阀开关的II类超晶格结构及制备方法至基于砷阀开关的II类超晶格结构及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于砷阀开关的II类超晶格结构及制备方法。与传统的II类超晶格结构相比，原有的二元化合物GaSb和InSb均分别由GaAsSb和InAsSb三元化合物替代。其制备方法是在整个II类超晶格生长过程中，As阀一直处于打开状态，阀位大小与生长InAs层时相同，使得在生长GaSb层和InSb界面层时由于部分As的流出而形成了GaAsSb和InAsSb三元化合物。其特点在于：由于各层中都有共同元素As存在，使得各层的生长温度趋于一致，并使得界面处的互扩散减少。此外，As原子表面活性剂作用，增加了Sb原子的迁移率，降低了Sb团簇的形成几率，减少了材料本身的缺陷，提高了材料性能。