专利详情

专利名称	一种对InP基RFIC晶圆进行电化学减薄抛光的方法
申请号	CN201310473279.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103500707A	公开（授权）日	2014.01.08
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	汪宁
主分类号	H01L21/306(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/306(2006.01)I
专利有效期	一种对InP基RFIC晶圆进行电化学减薄抛光的方法至一种对InP基RFIC晶圆进行电化学减薄抛光的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种对InP基RFIC晶圆进行电化学减薄抛光的方法，包括：对InP基RFIC晶圆进行清洗；在InP基RFIC晶圆表面涂覆光刻胶；对InP基RFIC晶圆进行电极图形光刻；对InP基RFIC晶圆制作金属电极；对InP基RFIC晶圆进行清洗；对InP基RFIC晶圆进行快速合金；在InP基RFIC晶圆表面涂覆光刻胶；对InP基RFIC晶圆进行引线图形光刻；对InP基RFIC晶圆制作引线金属；将InP基RFIC晶圆连入导线；对InP基RFIC晶圆进行电化学抛光；对InP基RFIC晶圆进行剥离，完成减薄抛光。本发明有效的避免了机械减薄造成的损伤，实现了减薄抛光过程中的应力释放，实现了衬底抛光面的镜面效果，为解决InP超薄厚度的减薄抛光工艺难题提供了新的解决手段。