专利详情

专利名称	高灵敏太赫兹微流通道传感器及其制备方法
申请号	CN201310316628.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103499534A	公开（授权）日	2014.01.08
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	陈沁;孙福河
主分类号	G01N21/31(2006.01)I	IPC主分类号	G01N21/31(2006.01)I;B81B3/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	高灵敏太赫兹微流通道传感器及其制备方法至高灵敏太赫兹微流通道传感器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种高灵敏太赫兹微流通道传感器及其制备方法。该传感器包括衬底和盖层，衬底和盖层上分别设有金属平面反射镜和金属微结构层，金属平面反射镜与金属微结构层之间形成有微流通道，且当微流通道内存有被测液体时，金属微结构层、被测液体和金属平面反射镜形成的复合结构在太赫兹波段内具有共振引起的强吸收特性；该方法包括：分别在衬底和盖层上加工形成金属平面反射镜和金属微结构层，其后将衬底与盖层固定连接，并使衬底与盖层之间形成封闭微流通道，而后在衬底和/或盖层上设置与微流通道连通的通孔，形成用以向传感器内输入输出被测液体的液流通道。本发明传感器结构简单，易于加工和使用，且探测灵敏度较之现有传感器有大幅提升。