专利详情

专利名称	一种利用离子束刻蚀技术抛光微结构侧壁的方法
申请号	CN201310439401.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103495907A	公开（授权）日	2014.01.08
申请（专利权）人	中国科学院高能物理研究所	发明（设计）人	张天冲;伊福廷;王波;刘静;张新帅
主分类号	B24B1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B24B1/00(2006.01)I
专利有效期	一种利用离子束刻蚀技术抛光微结构侧壁的方法至一种利用离子束刻蚀技术抛光微结构侧壁的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种利用离子束刻蚀技术抛光微结构侧壁的方法，属于超精密加工技术领域，该方法包括:将待抛光的具有微结构的样品放在离子束刻蚀设备的腔体内的样品台上，并利用样品托使样品的底面与样品台之间有一定距离，且使样品的待抛光侧壁与样品台平面相互垂直;利用待抛光的具有微结构的样品的深宽比计算出样品台所需的倾斜角，并调节样品台到该倾斜角;使用离子束对样品进行刻蚀，且在刻蚀过程中样品台始终自转。利用本发明提供的利用离子束刻蚀技术抛光微结构侧壁的方法，能够实现对微结构的侧壁进行高精度的抛光。