专利详情

专利名称	一种低应力硅化合物超厚膜材料、制备方法及用途
申请号	CN201310451286.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103484833A	公开（授权）日	2014.01.01
申请（专利权）人	国家纳米科学中心	发明（设计）人	宋志伟;褚卫国
主分类号	C23C16/34(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/34(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I
专利有效期	一种低应力硅化合物超厚膜材料、制备方法及用途至一种低应力硅化合物超厚膜材料、制备方法及用途	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种低应力硅化合物超厚膜材料、制备方法及用途。所述超厚膜材料的厚度为28μm以上，膜应力低于100MPa。将处理好的衬底放入高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体中，抽真空后加热衬底，供给气源并增加功率，在一定气压下使腔体内混合气体产生等离子体，沉积到衬底表面。所述超厚膜材料具有良好的绝缘性、稳定性和机械特性，可以作为绝缘层、保护膜或光学膜，广泛应用于半导体、微波、光电子以及光学器件等领域，有助于微纳器件研究领域的商业化，有着明显的应用前景和潜在的经济效益。