专利详情

专利名称	一种双步消逝场耦合的雪崩光电探测器
申请号	CN201310406865.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103489953A	公开（授权）日	2014.01.01
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	崔荣;杨晓红;李彬;尹伟红;吕倩倩;韩勤
主分类号	H01L31/107(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/107(2006.01)I;H01L31/0232(2006.01)I
专利有效期	一种双步消逝场耦合的雪崩光电探测器至一种双步消逝场耦合的雪崩光电探测器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种双步消逝场耦合的雪崩光电探测器(APD)，该雪崩光电探测器包括：衬底；形成于衬底之上的单模传输光波导，用于实现匹配光斑在其中低损耗单模传输，并使光渐渐向上消逝场耦合进入光匹配层；形成于单模传输光波导之上的光匹配层，用于实现光功率从单模传输光波导高效率消逝场耦合到APD吸收层中，并将光限制在APD吸收层中被完全吸收；以及形成于光匹配层之上的APD台面，采用分离吸收电荷倍增区的结构，与波导结构集成可实现高速高响应度的光探测。本发明通过将具有内部增益以及高灵敏度的APD与消逝场耦合的单模波导结构集成，解决了普通探测器光损耗大、灵敏度低、响应度与带宽相互制约以及不利于片上光互连等问题。