专利详情

专利名称	利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法
申请号	CN201310407479.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103489968A	公开（授权）日	2014.01.01
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	冯向旭;张宁;刘乃鑫;付丙磊;朱绍歆;张连;魏同波;王军喜;李晋闽
主分类号	H01L33/00(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I
专利有效期	利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法至利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法，包括以下步骤：步骤1：取一外延衬底；步骤2：在外延衬底上外延一致密薄层，该致密薄层作为后续氮化镓外延的成核层；步骤3：暂停生长，使致密薄层发生分解，得到疏松薄层；步骤4：在疏松薄层上，外延氮化镓薄膜。本发明的方法是采用AlInGaN四元合金作为氮化镓外延的成核层，利用In原子的易析出特性生成非致密的AlInGaN外延层来释放来自晶格失配的应力，从而获得高质量的氮化镓外延薄膜。