专利详情

专利名称	钙钛矿基薄膜太阳电池及其制备方法
申请号	CN201310461537.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103490011A	公开（授权）日	2014.01.01
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	孟庆波;石将建;李冬梅;罗艳红
主分类号	H01L51/44(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/44(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I
专利有效期	钙钛矿基薄膜太阳电池及其制备方法至钙钛矿基薄膜太阳电池及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种钙钛矿基薄膜太阳电池及其制备方法。所述钙钛矿基薄膜太阳电池包括：透明衬底；在所述透明衬底上形成的透明导电层；在所述透明导电层上形成的且为半导体材料的致密层；在所述致密层上形成的多孔绝缘层；在所述多孔绝缘层上形成的多孔碳对电极层；以及填充在所述多孔绝缘层内部的孔隙中的具有钙钛矿结构的有机金属半导体吸光材料。本发明提供了碳对电极在钙钛矿基薄膜太阳电池中的应用。与现有的钙钛矿基薄膜太阳电池制备方法相比，本发明采用碳材料替代昂贵的贵金属材料作为对电极，成本大大降低。采用简单、快速、可规模化生产的丝网印刷法代替真空镀膜法，进一步节约了成本，有利于实现钙钛矿基薄膜太阳电池的工业化生产。